Pracownicy laboratorium MOVPE:
pomieszczenie: 01.227
MOVPE (METAL ORGANIC VAPOUR PHASE EPITAXY)
System MOCVD AIXTRON CCS 3×2” to urządzenie do epitaksji ze związków metaloorganicznych umożliwiające osadzanie materiałów półprzewodnikowych na trzech 2-calowych podłożach jednocześnie. Rozwiązanie Close Coupled Showerhead (CCS) zapewnia jednorodne dostarczanie reagentów poprzez pokrywę reaktora. Nasz układ jest dedykowany do wzrostu półprzewodnikowych związków azotu, dzięki posiadanym prekursorom możliwe jest hodowanie takich materiałów jak GaN, BN, AlN, InN oraz domieszkowanie wszystkich wymienionych na typ p (Mg) oraz n (Si). Reaktor zapewnia możliwość wzrostu w obniżonym ciśnieniu (50 -1150 mbar) oraz w temperaturze do 1400°C. Reaktor jest wyposażony w dwa układy do kontroli wzrostu in situ. Za pomocą interferometru (Multi Wafer Interferometer) możliwa jest obserwacja odbicia od rosnącej warstwy, natomiast pirometr optyczny – ARGUS pozwala na dokładną kontrolę rozkładu temperatury na wszystkich umieszczonych wewnątrz reaktora podłożach.
Powiązane strony: